第112章 量产！
李青松原本以为，在之前7纳米、5纳米、3纳米技术接连被顺利突破的前提之下，2纳米制程的芯片技术也将被子顺利突破。
但他没有想到，在这最为接近极限的时刻，众多复杂艰难到了极点的技术难题全都涌现了出来。
“想想看，这其实也很正常。”
李青松轻轻叹了口气：“要在几平方厘米的范围内，精准的将400亿个以上的晶体管在硅片上雕刻出来，还要让它们保持图纸之中的连接，相互协作发挥功能，这怎么可能简单啊……”
但，再难也要去做。
李青松将现有技术障碍梳理一番，再度开始了攻关任务。
他发现，制约自己掌握2纳米芯片技术的一个重大桎梏，是相比起之前的更为严重的短沟道效应。
漏电流在如此微小的尺寸之上几乎无法控制。这导致了晶体管根本无法正常工作，一旦通电，大量的晶体管瞬间便会烧毁。
李青松调动了数万名克隆体的脑力，一边思考，一边使用超算进行模拟，还一边进行着各种试验。
最终，一种方案被他想了出来。
“或许……我可以将晶体管的构造模式改变一下？通过栅极将沟道包裹住，或许能提升控制力，减少漏电流。”
想到了这一点，李青松立刻开始了尝试。
使用实验室之中的高精度成套光刻设备，李青松尝试着按照环绕栅极场效应的模式，将一枚全新的芯片造了出来，并通电测试。
一番测试之下，看着屏幕之上的电流数据，李青松长长的出了口气。
他知道，漏电流的技术问题被自己攻克了。
但这仅仅只是研发2纳米芯片过程之中所遇到的第一个困难。
在这之后，李青松立刻遇到了第二个技术难题。
如何进一步提升光源功率，实现更短的波长？
很显然，只有光的波长更短，才能雕刻出更小的晶体管。
但现在，李青松所使用的光刻机以及可以被称之为“极紫外光源”光刻机了。
这里面的“极”，便是极度的意思。
但现在，就算是“极度”也不够了，还得想办法进一步提升。
李青松再度调集众多脑力与资源，开始了不计成本的尝试。
数天时间之后，一个新的想法从其中一名克隆体脑海之中产生，并同步到了李青松的脑袋里。
“激光等离子体光源之中的材料或许可以尝试一下别的。”
一番尝试之下，李青松最终发现，用高功率二氧化碳激光发生器轰击锡滴，产生的光源的波长可以满足自己的要求。
这一个问题也被攻克。
但，光源问题解决了，光刻胶的问题又浮出水面。
现有的光刻胶无法有效吸收这种波长的光源并与之反应，便无法有效的在硅片上镌刻晶体管。并且，它的灵敏度也不够高，其相关缺陷虽然在上一代芯片之中可以接受，但在此刻2纳米芯片的制造之中，就被放大到了无法接受的程度。